低维材料制备与应用

课程编码：180092080500M0001H 英文名称：Preparation and Application of Low Dimensional Materials 课时：20 学分：1.00 课程属性：高级强化课 主讲教师：郑军

本课程为材料学院、物理电子学专业硕士生和博士生的高级强化课。主要授课对象为从事低维材料及器件应用的研究生。本课程以低维材料的研究成果为例，阐述低维材料的制备和应用实例。低维材料中包括了量子点、量子线、量子阱、超晶格，以及最新的二维层状材料（如石墨烯，MOS2）等，器件应用中则介绍了低维材料的发光二极管、激光器、光电探测器及光伏电池等，有助于对该领域的全面了解，为从事半导体低维光电材料及器件应用的研究打下坚实的基础。

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第一章 绪论 2.0学时 郑军
第1节 何为低维材料
第2节 低维材料的性质
第3节 低维材料的制备
第4节 低维材料的光电性能
第二章 低维半导体材料制备 6.0学时 郑军
第1节 物理气相沉积及生长实例
第2节 化学气相沉积及生长实例
第3节 溶液法及生长实例
第三章 低维半导体材料表征 4.0学时 郑军
第1节 低维材料结构表征
第2节 低维材料成分表征
第四章 低维半导体材料应用 8.0学时 郑军
第1节 低维发光器件
第2节 太阳电池
第3节 探测器
第4节 光电集成芯片

郑军副研究员，2011年获得中国科学院研究生院博士学位。在Si衬底上实现了锗锡和锗薄膜材料的高质量外延生长，研制出多种高性能的硅基光电子器件，并研究其在光电集成芯片技术中的应用。负责承担国家重点研发计划课题、国家自然基金多项研究任务。在Photonics Research，Optics Letters, Journal of Alloys and Compounds, Applied Physics Letterr等SCI期刊发表论文60余篇。目前研究方向为硅基异质材料外延制备、高性能光电子器件及光电芯片集成技术研究。